Referência do fabricante

IGBT, BSC0923NDIATMA1, N-Canal, PG-TISON-8, 8-Pines

Código RS:: 273-5236
Referência do fabricante:: BSC0923NDIATMA1
Fabricante:: Infineon

IGBT, BSC0923NDIATMA1, N-Canal, PG-TISON-8, 8-Pines

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Código RS:: 273-5236
Referência do fabricante:: BSC0923NDIATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tensión Máxima Puerta-Emisor	±20V
	Disipación de Potencia Máxima	2,5 W
	Tipo de Encapsulado	PG-TISON-8
	Configuración	Doble
	Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
	Tipo de Canal	N
	Conteo de Pines	8

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V
	Disipación de Potencia Máxima 2,5 W
	Tipo de Encapsulado PG-TISON-8
	Configuración Doble
	Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
	Tipo de Canal N
	Conteo de Pines 8

Datasheet - BSC0923NDIATMA1

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de canal N doble. Está optimizado para un convertidor de bajada de alto rendimiento. Este MOSFET está calificado de acuerdo con JEDEC para aplicaciones de destino. Este MOSFET es sin halógenos de acuerdo con el estándar IEC61249 2 21.

Nivel lógico
Conformidad con RoHS
Chapado sin plomo
Prueba de avalancha al 100 %

IGBT, BSC0923NDIATMA1, N-Canal, PG-TISON-8, 8-Pines

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