IGBT, BSC018NE2LSATMA1, N-Canal, 153 A, 25 V, PG-TDSON-8, 8-Pines

Ver tudo IGBT

Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*

2 295,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 02 de abril de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
5000 +0,459 €2 295,00 €

*preço indicativo

Código RS:
273-5233
Referência do fabricante:
BSC018NE2LSATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

153 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

25 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

2,5 W

Tipo de Encapsulado

PG-TDSON-8

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

8

El MOSFET Infineon es un MOSFET de canal de 25 V N. Está optimizado para un convertidor de bajada de alto rendimiento. Este MOSFET está calificado de acuerdo con JEDEC para aplicaciones de destino. Este MOSFET es sin halógenos de acuerdo con el estándar IEC61249 2 21.

Conformidad con RoHS
Chapado sin plomo
Resistencia de encendido muy baja
Superior resistencia térmica
Prueba de avalancha al 100 %

Links relacionados