Infineon IGBT, BSC018NE2LSATMA1, Tipo N-Canal, 153 A, 25 V, PG-TDSON-8, 8 pines 1 Orificio pasante

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Código RS:
273-5233
Referência do fabricante:
BSC018NE2LSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

153A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

25V

Número de transistores

1

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Encapsulado

PG-TDSON-8

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

8

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.1mm

Anchura

6.1 mm

Altura

1.51mm

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon es un MOSFET de canal de 25 V N. Está optimizado para un convertidor de bajada de alto rendimiento. Este MOSFET está calificado de acuerdo con JEDEC para aplicaciones de destino. Este MOSFET es sin halógenos de acuerdo con el estándar IEC61249 2 21.

Conformidad con RoHS

Chapado sin plomo

Resistencia de encendido muy baja

Superior resistencia térmica

Prueba de avalancha al 100 %

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