IGBT, IKB10N60TATMA1, 30 A, 600 V, TO-263-3 1

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

9,30 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 955 unidade(s) para enviar a partir do dia 19 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
5 - 201,86 €9,30 €
25 - 451,676 €8,38 €
50 - 1201,582 €7,91 €
125 - 2451,468 €7,34 €
250 +1,36 €6,80 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
258-7725
Referência do fabricante:
IKB10N60TATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

30 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

20V

Disipación de Potencia Máxima

110 W

Número de transistores

1

Configuración

Colector único, emisor simple, puerta simple

Tipo de Encapsulado

TO-263-3

El IGBT discreto de Infineon con diodo antiparalelo en encapsulado TO-263. Tiene una mejora significativa del rendimiento estático y dinámico del dispositivo, gracias a la combinación de celda de trinchera y concepto de parada de campo. También tiene pérdidas de conmutación y conducción bajas.

Caída VCEsat más baja para pérdidas de conducción más bajas
Capacidad de conmutación paralela sencilla gracias al coeficiente de temperatura positivo en VCEsat
Diodo controlado por emisor antiparalelo de recuperación rápida y muy suave
Gran robustez, comportamiento de temperatura estable
Carga de puerta baja

Links relacionados