Referência do fabricante

Módulo transistor IGBT, IKP10N60TXKSA1, 24 A, 600 V, PG-TO-220-3 3

Código RS:: 259-1528
Referência do fabricante:: IKP10N60TXKSA1
Fabricante:: Infineon

Módulo transistor IGBT, IKP10N60TXKSA1, 24 A, 600 V, PG-TO-220-3 3

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Código RS:: 259-1528
Referência do fabricante:: IKP10N60TXKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Corriente Máxima Continua del Colector	24 A
	Tensión Máxima Colector-Emisor	600 V
	Tensión Máxima Puerta-Emisor	±20V
	Número de transistores	3
	Disipación de Potencia Máxima	110 W
	Tipo de Encapsulado	PG-TO-220-3

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	Marca Infineon
	Corriente Máxima Continua del Colector 24 A
	Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V
	Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V
	Número de transistores 3
	Disipación de Potencia Máxima 110 W
	Tipo de Encapsulado PG-TO-220-3

Datasheet - IKP10N60TXKSA1

El paquete dúo Trenchstop de baja pérdida de Infineon es una tecnología de parada de campo con un diodo HE controlado por emisor antiparalelo de recuperación rápida y suave. Se trata de un IGBT3 de 600 V, 10 A de interruptor de trench de conmutación rígida en un encapsulado TO220 con diodo de rueda libre completo, lo que conduce a una mejora significativa del rendimiento estático y dinámico del dispositivo, gracias a la combinación de concepto de celda de trench y de parada de campo.

Máxima eficiencia y bajas pérdidas de conmutación y conducción
Cartera completa en 600 V y 1.200 V para mayor flexibilidad de diseño
Alta fiabilidad del dispositivo
Emisiones EMI bajas

Módulo transistor IGBT, IKP10N60TXKSA1, 24 A, 600 V, PG-TO-220-3 3

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