IGBT, IKB10N60TATMA1, 30 A, 600 V, TO-263-3 1
- Código RS:
- 258-7063
- Referência do fabricante:
- IKB10N60TATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
615,00 €
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Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,615 € | 615,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 258-7063
- Referência do fabricante:
- IKB10N60TATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 30 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 110 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-263-3 | |
| Configuración | Colector único, emisor simple, puerta simple | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 30 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 110 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-263-3 | ||
Configuración Colector único, emisor simple, puerta simple | ||
El IGBT discreto de Infineon con diodo antiparalelo en encapsulado TO-263. Tiene una mejora significativa del rendimiento estático y dinámico del dispositivo, gracias a la combinación de celda de trinchera y concepto de parada de campo. También tiene pérdidas de conmutación y conducción bajas.
Caída VCEsat más baja para pérdidas de conducción más bajas
Capacidad de conmutación paralela sencilla gracias al coeficiente de temperatura positivo en VCEsat
Diodo controlado por emisor antiparalelo de recuperación rápida y muy suave
Gran robustez, comportamiento de temperatura estable
Carga de puerta baja
Capacidad de conmutación paralela sencilla gracias al coeficiente de temperatura positivo en VCEsat
Diodo controlado por emisor antiparalelo de recuperación rápida y muy suave
Gran robustez, comportamiento de temperatura estable
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