Infineon IGBT, 24 A, 600 V, TO-263
- Código RS:
- 258-7063
- Referência do fabricante:
- IKB10N60TATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
615,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 31 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,615 € | 615,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 258-7063
- Referência do fabricante:
- IKB10N60TATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 24A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC1 | |
| Serie | TRENCHSTOPTM | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 24A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC1 | ||
Serie TRENCHSTOPTM | ||
Estándar de automoción No | ||
El IGBT discreto de Infineon con diodo antiparalelo en encapsulado TO-263. Tiene una mejora significativa del rendimiento estático y dinámico del dispositivo, gracias a la combinación de celda de trinchera y concepto de parada de campo. También tiene pérdidas de conmutación y conducción bajas.
Caída VCEsat más baja para pérdidas de conducción más bajas
Capacidad de conmutación paralela sencilla gracias al coeficiente de temperatura positivo en VCEsat
Diodo controlado por emisor antiparalelo de recuperación rápida y muy suave
Gran robustez, comportamiento de temperatura estable
Carga de puerta baja
Links relacionados
- Infineon IGBT, IKB10N60TATMA1, 24 A, 600 V, TO-263
- Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 34 A, 600 V, TO-263
- Infineon IGBT, AUIRG4BC30SSTRL, Tipo N-Canal, 34 A, 600 V, TO-263
- Infineon IGBT, 15 A, 650 V, TO-263
- Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 12 A, 600 V, TO-263, 3 pines Orificio pasante
- Infineon Módulo IGBT, 24 A, 600 V, TO-220
- Infineon IGBT, IGB15N65S5ATMA1, 15 A, 650 V, TO-263
- Infineon IGBT, IKB06N60TATMA1, Tipo N-Canal, 12 A, 600 V, TO-263, 3 pines Orificio pasante