Infineon IGBT, IKB06N60TATMA1, Tipo N-Canal, 12 A, 600 V, TO-263, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 273-2966
- Referência do fabricante:
- IKB06N60TATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-2966
- Referência do fabricante:
- IKB06N60TATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 12A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 88W | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.05V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 9.45mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Anchura | 10.31 mm | |
| Certificaciones y estándares | Pb-free lead plating, J-STD-020, RoHS, JEDEC, JESD-022 | |
| Serie | TrenchStop | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 12A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 88W | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.05V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 9.45mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Anchura 10.31 mm | ||
Certificaciones y estándares Pb-free lead plating, J-STD-020, RoHS, JEDEC, JESD-022 | ||
Serie TrenchStop | ||
Estándar de automoción No | ||
El IGBT3 de Infineon compactado con diodo de rueda libre de calificación completa en un encapsulado TO263 D2Pak, conduce a una mejora significativa del rendimiento estático y dinámico del dispositivo, gracias a la combinación de concepto de celda de trinchera y campo. La combinación de
Alta robustez y comportamiento estable a temperatura
Distribución de parámetros muy estrecha
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