Infineon IGBT, IKD10N60RFATMA1, 10 A, 600 V, TO-252, 30 kHz
- Código RS:
- 258-1004
- Referência do fabricante:
- IKD10N60RFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-1004
- Referência do fabricante:
- IKD10N60RFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 10A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Velocidad de conmutación | 30kHz | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, Pb-free lead plating | |
| Serie | TRENCHSTOPTMRC-DrivesFast | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 10A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Velocidad de conmutación 30kHz | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, Pb-free lead plating | ||
Serie TRENCHSTOPTMRC-DrivesFast | ||
Estándar de automoción No | ||
El IGBT3 de conmutación dura de 600 V, 10 A de Infineon RC-Drives con diodo de conducción inversa monolíticamente integrado en un encapsulado TO252, ha sido desarrollado por Infineon como una solución rentable optimizada para el mercado de unidades de consumo. Esta tecnología básica proporciona un rendimiento excepcional para accionamientos de motor dc sin escobillas y síncronos de imán permanente.
Distribución de parámetros muy estrecha
Mejor rendimiento de corriente en comparación con el tamaño del encapsulado
Estabilidad de temperatura excepcional
Muy buen comportamiento EMI
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