IGBT, IKD10N60RFATMA1, 600 V, PG-TO252-3

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Código RS:
258-1003
Referência do fabricante:
IKD10N60RFATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Tipo de Encapsulado

PG-TO252-3

El IGBT3 de conmutación dura de 600 V, 10 A de Infineon RC-Drives con diodo de conducción inversa monolíticamente integrado en un encapsulado TO252, ha sido desarrollado por Infineon como una solución rentable optimizada para el mercado de unidades de consumo. Esta tecnología básica proporciona un rendimiento excepcional para accionamientos de motor dc sin escobillas y síncronos de imán permanente.

Distribución de parámetros muy estrecha
Mejor rendimiento de corriente en comparación con el tamaño del encapsulado
Estabilidad de temperatura excepcional
Muy buen comportamiento EMI

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