IGBT, BIDW20N60T, 20 A, 600 V, TO-247 1

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Código RS:
253-3505
Referência do fabricante:
BIDW20N60T
Fabricante:
Bourns
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Marca

Bourns

Corriente Máxima Continua del Colector

20 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

192 W

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

TO-247

Configuración

Diodo simple

El dispositivo IGBT de Bourns combina tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar para un componente óptimo para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo utiliza la tecnología de puerta de trinchera de parada de campo que proporciona un mayor control de las características dinámicas con una pérdida de conducción más baja y menos pérdidas de conmutación. Además, esta estructura proporciona un coeficiente de temperatura positivo.

600 V, 20 A, baja tensión emisor-colector de saturación (VCE(sat))
Tecnología de puerta de trinchera de parada de campo
Optimizado para conducción
Pérdida de conmutación baja
Conforme con RoHS

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