Bourns IGBT, BIDW20N60T, 40 A, 600 V, TO-247
- Código RS:
- 253-3505
- Referência do fabricante:
- BIDW20N60T
- Fabricante:
- Bourns
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
5,86 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 2192 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de março de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 + | 2,93 € | 5,86 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 253-3505
- Referência do fabricante:
- BIDW20N60T
- Fabricante:
- Bourns
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Bourns | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 40A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 192W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.9V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Serie | BIDW20N60T | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Bourns | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 40A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 192W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.9V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Serie BIDW20N60T | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El dispositivo IGBT de Bourns combina tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar para un componente óptimo para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo utiliza la tecnología de puerta de trinchera de parada de campo que proporciona un mayor control de las características dinámicas con una pérdida de conducción más baja y menos pérdidas de conmutación. Además, esta estructura proporciona un coeficiente de temperatura positivo.
600 V, 20 A, baja tensión emisor-colector de saturación (VCE(sat))
Tecnología de puerta de trinchera de parada de campo
Optimizado para conducción
Pérdida de conmutación baja
Conforme con RoHS
Links relacionados
- IGBT, BIDW20N60T, 20 A, 600 V, TO-247 1
- IGBT, BIDW30N60T, 30 A, 600 V, TO-247 1
- IGBT, IGW30N60TPXKSA1, N-Canal, 53 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 30kHz 1 Simple
- IGBT, IKW50N60DTPXKSA1, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 30kHz 1 Simple
- IGBT, IKW30N60DTPXKSA1, N-Canal, 53 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 30kHz 1 Simple
- IGBT, IGW50N60TPXKSA1, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 30kHz 1 Simple
- Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 75 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 20 kHz
- Infineon IGBT, IKW75N60TFKSA1, Tipo N-Canal, 75 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 20 kHz
