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    IGBT, IKW75N60TFKSA1, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple

    Código RS:
    754-5402
    Referência do fabricante:
    IKW75N60TFKSA1
    Fabricante:
    Infineon
    Infineon

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    Código RS:
    754-5402
    Referência do fabricante:
    IKW75N60TFKSA1
    Fabricante:
    Infineon

    Legislação e Conformidade


    Detalhes do produto

    Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V


    Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.


    • Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
    • VCEsat muy baja
    • Pérdidas de desconexión bajas
    • Corriente de recuperación de cortocircuito
    • EMI bajo
    • Temperatura de conexión máxima de 175 °C



    IGBT discretos y módulos, Infineon


    El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.


    Especificações

    AtributoValor
    Corriente Máxima Continua del Colector80 A
    Tensión Máxima Colector-Emisor600 V
    Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
    Disipación de Potencia Máxima428 W
    Tipo de EncapsuladoTO-247
    Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
    Conteo de Pines3
    Configuración de transistorSimple
    Dimensiones16.03 x 21.1 x 5.16mm
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+175 °C
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-40 °C
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