IGBT, IKW75N60TFKSA1, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 20kHz 1 Simple
- Código RS:
- 754-5402
- Referência do fabricante:
- IKW75N60TFKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 754-5402
- Referência do fabricante:
- IKW75N60TFKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 80 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 428 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Velocidad de Conmutación | 20kHz | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 16.03 x 21.1 x 5.16mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Capacitancia de puerta | 4620pF | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 80 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 428 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Velocidad de Conmutación 20kHz | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 16.03 x 21.1 x 5.16mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Capacitancia de puerta 4620pF | ||
IGBT Infineon, corriente de colector continua máxima de 80 A, tensión de emisor de colector máxima de 600 V - IKW75N60TFKSA1
Este IGBT es un componente semiconductor de alto rendimiento diseñado para aplicaciones de electrónica de potencia. Con una corriente de colector continua máxima de 80 A, funciona eficazmente en entornos de alta tensión, con una tensión nominal de 600 V. El dispositivo se presenta en un formato TO-247, ideal para el montaje a través de orificios.
Características y ventajas
• La baja tensión de saturación colector-emisor aumenta la eficiencia
• La alta velocidad de conmutación reduce la pérdida de energía durante el funcionamiento
• El coeficiente de temperatura positivo garantiza un rendimiento estable
• Compatible con una amplia gama de temperaturas de -40°C a +175°C
• La alta velocidad de conmutación reduce la pérdida de energía durante el funcionamiento
• El coeficiente de temperatura positivo garantiza un rendimiento estable
• Compatible con una amplia gama de temperaturas de -40°C a +175°C
Aplicaciones
• Adecuado para su uso en convertidores de frecuencia en entornos industriales
• Ideal para sistemas de alimentación ininterrumpida
• Utilizado en el control de motores para automatización
• Eficacia de los sistemas de energía renovable para garantizar la eficiencia
• Ideal para sistemas de alimentación ininterrumpida
• Utilizado en el control de motores para automatización
• Eficacia de los sistemas de energía renovable para garantizar la eficiencia
¿Qué implicaciones tiene el tiempo de resistencia al cortocircuito para mi aplicación?
El tiempo de resistencia al cortocircuito de 5 μs permite una protección fiable en aplicaciones que pueden encontrarse en condiciones de fallo, garantizando que el dispositivo pueda soportar breves situaciones de sobrecorriente sin un fallo inmediato.
¿Cómo afecta la alta velocidad de conmutación a la eficiencia del sistema?
Una alta velocidad de conmutación de 20 kHz minimiza las pérdidas de energía durante las transiciones, mejorando significativamente la eficiencia y el rendimiento general del sistema, especialmente en aplicaciones de respuesta rápida.
¿Cuáles son las consideraciones de gestión térmica para un rendimiento óptimo?
Los valores de resistencia térmica indican la disipación efectiva de calor de la unión a la carcasa
la gestión de las temperaturas de unión dentro de los límites especificados es crucial para mantener un funcionamiento fiable y prolongar la vida útil de los componentes.
IGBT discretos y módulos, Infineon
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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