Infineon IGBT, IKW50N60DTPXKSA1, Tipo N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 30 kHz
- Código RS:
- 133-9871
- Referência do fabricante:
- IKW50N60DTPXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
3,28 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 151 unidade(s) a partir do dia 13 de março de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,28 € |
| 10 - 24 | 3,12 € |
| 25 - 49 | 3,05 € |
| 50 - 99 | 2,84 € |
| 100 + | 2,62 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 133-9871
- Referência do fabricante:
- IKW50N60DTPXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 80A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 319.2W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 30kHz | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Serie | TrenchStop | |
| Estándar de automoción | No | |
| Energía nominal | 2.38mJ | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 80A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 319.2W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 30kHz | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Serie TrenchStop | ||
Estándar de automoción No | ||
Energía nominal 2.38mJ | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT discretos y módulos, Infineon
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Links relacionados
- IGBT, IGW50N60TPXKSA1, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 30kHz 1 Simple
- IGBT 600V 50A TRENCHSTOP 30kHz TO-247
- IGBT, IKW50N65ES5XKSA1, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines, 30kHz 1 Simple
- IGBT, IKW75N65ES5XKSA1, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines, 30kHz 1 Simple
- IGBT, IGW30N60TPXKSA1, N-Canal, 53 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 30kHz 1 Simple
- IGBT, IKW30N60DTPXKSA1, N-Canal, 53 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 30kHz 1 Simple
- IGBT, IKW30N65ES5XKSA1, N-Canal, 62 A, 650 V, TO-247, 3-Pines, 30kHz 1 Simple
- IGBT, FGH40N60SMD_F085, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple