IGBT, BIDW30N60T, 30 A, 600 V, TO-247 1

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Código RS:
253-3507
Referência do fabricante:
BIDW30N60T
Fabricante:
Bourns
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Marca

Bourns

Corriente Máxima Continua del Colector

30 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

230 W

Configuración

Diodo simple

Tipo de Encapsulado

TO-247

El dispositivo IGBT de Bourns combina tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar para un componente óptimo para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo utiliza la tecnología de puerta de trinchera de parada de campo que proporciona un mayor control de las características dinámicas con una tensión emisor-colector de saturación (VCE(sat)) más baja y menos pérdidas de conmutación. Además, esta estructura proporciona una menor resistencia térmica R(th).

600 V, 30 A, baja tensión emisor-colector de saturación (VCE(sat))
Tecnología de puerta de trinchera de parada de campo
Optimizado para conducción
Conforme con RoHS

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