Módulo IGBT, F3L150R07W2H3B11BPSA1, 85 A, 650 V 4
- Código RS:
- 248-1202
- Referência do fabricante:
- F3L150R07W2H3B11BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 248-1202
- Referência do fabricante:
- F3L150R07W2H3B11BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 85 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 20 mW | |
| Número de transistores | 4 | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 85 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 20 mW | ||
Número de transistores 4 | ||
Infineon fabrica este módulo IGBT EasyPACK 2B de 650 V, 100 A de 3 niveles con IGBT Trench/Fieldtop H3 y diodo rápido y PressFIT/NTC. Este dispositivo ofrece un diseño compacto fácil de usar y un rendimiento optimizado. El dispositivo proporciona ventajas adicionales como mayor capacidad de tensión de bloqueo de hasta 650 V, diseño inductivo bajo, pérdidas de conmutación y VCE (sat) bajas. Utiliza un sustrato Al2O3 con baja resistencia térmica y tecnología de contacto PressFIT. Este dispositivo ofrece un montaje resistente gracias a la abrazadera de montaje integrada. Este dispositivo utiliza tecnología IGBT HighSpeed 3.
Mejor relación coste-rendimiento con costes del sistema reducidos
Alto grado de libertad en el diseño
Máxima eficiencia y densidad de potencia
Alto grado de libertad en el diseño
Máxima eficiencia y densidad de potencia
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