Módulo IGBT, F3L150R07W2E3B11BOMA1, 650 A, 150 V, Módulo
- Código RS:
- 273-7365
- Referência do fabricante:
- F3L150R07W2E3B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|
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| 5 - 9 | 106,88 € |
| 10 - 99 | 99,16 € |
| 100 - 249 | 90,91 € |
| 250 + | 83,92 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 273-7365
- Referência do fabricante:
- F3L150R07W2E3B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 650 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 150 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | +/-20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 335 W | |
| Tipo de Encapsulado | Módulo | |
| Tipo de Montaje | Montaje en panel | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 650 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 150 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor +/-20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 335 W | ||
Tipo de Encapsulado Módulo | ||
Tipo de Montaje Montaje en panel | ||
El módulo IGBT de Infineon tiene 650 V VCES, corriente de colector dc continua de 150 A, módulo IGBT de etapa de fase de 3 niveles con bloqueo de trinchera TRENCHSTOP IGBT3, 3 diodos controlados por emisor, tecnología de contacto NTC y Press FIT. Este módulo IGBT aumenta la capacidad de tensión de bloqueo a 650 V y está disponible con sustrato Al2O3 con baja resistencia térmica.
VCEsat bajo
Diseño compacto
Montaje robusto
Diseño de baja inductividad
Pérdidas de conmutación bajas
Diseño compacto
Montaje robusto
Diseño de baja inductividad
Pérdidas de conmutación bajas
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