Módulo IGBT, F3L100R07W2E3B11BOMA1, 117 A, 650 V, Módulo

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Código RS:
273-7362
Referência do fabricante:
F3L100R07W2E3B11BOMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

117 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

+/-20V

Disipación de Potencia Máxima

300 W

Tipo de Encapsulado

Módulo

Tipo de Montaje

Montaje en panel

El módulo IGBT de Infineon tiene 650 V VCES, corriente de colector dc continua de 100 A, módulo IGBT de etapa de fase de 3 niveles con bloqueo de trinchera TRENCHSTOP IGBT3, 3 diodos controlados por emisor, tecnología de contacto NTC y Press FIT. Este módulo IGBT aumenta la capacidad de tensión de bloqueo a 650 V y está disponible con sustrato Al2O3 con baja resistencia térmica.

VCEsat bajo
Diseño compacto
Montaje robusto
Diseño de baja inductividad
Pérdidas de conmutación bajas

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