Starpower Módulo de potencia IGBT, GD75MLX65L3S Cuádruple, 124 A, 650 V, Módulo 4
- Código RS:
- 427-816
- Referência do fabricante:
- GD75MLX65L3S
- Fabricante:
- Starpower
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
51,12 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 13 unidade(s) para enviar a partir do dia 16 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 51,12 € |
| 10 - 99 | 46,00 € |
| 100 + | 42,44 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 427-816
- Referência do fabricante:
- GD75MLX65L3S
- Fabricante:
- Starpower
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Starpower | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 124A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Número de transistores | 4 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 355W | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Starpower | ||
Tipo de producto Módulo de potencia IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 124A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Número de transistores 4 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 355W | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El módulo de alimentación Starpower IGBT proporciona una pérdida de conducción ultrabaja, así como una robustez de cortocircuito. Están diseñados para aplicaciones como la aplicación de 3 niveles.
VCE(sat) con coeficiente de temperatura positivo
Bajas pérdidas por conmutación
Caja de baja inductancia
Recuperación inversa rápida y suave anti-FWD paralelo
Placa base de cobre aislado con tecnología DBC
Links relacionados
- IGBT, GD100MLX65L3S, N-Canal, 150 A, 650 V, Módulo 4
- IGBT, GD150HFX65C1S, N-Canal, 150 A, 650 V, Módulo, 7-Pines 2
- IGBT, GD150MLX65L3S, N-Canal, 150 A, 650 V
- IGBT, GD150HHU120C6SD, N-Canal, 150 A, 1200 V, Módulo, 26-Pines 4
- IGBT, GD20PJX65L2S, N-Canal, 20 A, 650 V, Módulo PIM 7
- IGBT, GD50FSX65L2S, N-Canal, 50 A, 650 V, Módulo PIM 6
- IGBT, GD10PJX65L2S, N-Canal, 10 A, 650 V, Módulo PIM 7
- Módulo IGBT, NXH35C120L2C2SG, N-Canal, 35 A, 650 V, DIP26 6