Infineon Módulo IGBT, F3L100R07W2H3B11BPSA1, 650 V Orificio pasante 4

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Opções de embalagem:
Código RS:
248-1200
Referência do fabricante:
F3L100R07W2H3B11BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Número de transistores

4

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

42.5 mm

Longitud

56.7mm

Altura

12mm

Serie

F3L100R07W2H3B11

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Infineon fabrica este módulo IGBT EasyPACK 2B de 650 V, 100 A de 3 niveles con IGBT Trench/Fieldtop H3 y diodo rápido y PressFIT/NTC. Este dispositivo ofrece un diseño compacto fácil de usar y un rendimiento optimizado. El dispositivo proporciona ventajas adicionales como mayor capacidad de tensión de bloqueo de hasta 650 V, diseño inductivo bajo, pérdidas de conmutación y VCE (sat) bajas. Utiliza un sustrato Al2O3 con baja resistencia térmica y tecnología de contacto PressFIT. Este dispositivo ofrece un montaje resistente gracias a la abrazadera de montaje integrada.

Mejor relación coste-rendimiento con costes del sistema reducidos

Alto grado de libertad en el diseño, y utiliza tecnología IGBT HighSpeed 3

Máxima eficiencia y densidad de potencia

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