onsemi Módulo IGBT, Q0BOOST - Case 180AJ Superficie 2
- Código RS:
- 245-6990
- Referência do fabricante:
- NXH80B120MNQ0SNG
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 245-6990
- Referência do fabricante:
- NXH80B120MNQ0SNG
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Número de transistores | 2 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 69W | |
| Encapsulado | Q0BOOST - Case 180AJ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | NXH80B120MNQ0SNG | |
| Longitud | 55.2mm | |
| Altura | 13.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Número de transistores 2 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 69W | ||
Encapsulado Q0BOOST - Case 180AJ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie NXH80B120MNQ0SNG | ||
Longitud 55.2mm | ||
Altura 13.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulo MOSFET SiC completo | EliteSiC Full SiC Boost de dos canales, 1.200 V, MOSFET SiC de 80 mohm + 1.200 V, DBC de diodo SiC de 20 A chapado en níquel
El módulo DE potencia de sobrealimentación doble ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene una etapa de sobrealimentación doble. Los MOSFET de SiC y los diodos SiC integrados proporcionan menores pérdidas de conducción y conmutación, lo que permite a los diseñadores lograr alta eficiencia y fiabilidad superior.
MOSFET de SiC de 1200 V y 80 m.
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