onsemi Módulo IGBT, NXH40B120MNQ0SNG, Q0PACK - Case 180AJ Superficie 2

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Código RS:
245-6982
Referência do fabricante:
NXH40B120MNQ0SNG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

Módulo IGBT

Número de transistores

2

Disipación de potencia máxima Pd

118W

Encapsulado

Q0PACK - Case 180AJ

Tipo de montaje

Superficie

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

55.2mm

Altura

13.9mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

NXH40B120MNQ0SNG

Estándar de automoción

No

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El módulo DE potencia de impulso Q1 DE 3 canales ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene una etapa de impulso doble. Los MOSFET de SiC y los diodos SiC integrados proporcionan menores pérdidas de conducción y conmutación, lo que permite a los diseñadores lograr alta eficiencia y fiabilidad superior.

MOSFET de SiC de 1200 V y 40 m.

Diodos SiC de conmutación rápida y recuperación inversa baja

Diodos antiparalelos y de derivación de 1200 V.

Termistor de contactos soldables de diseño inductivo bajo

Este dispositivo no contiene plomo, libre de halógenos/BFR y es compatible con RoHS

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