onsemi Módulo IGBT, Tipo N-Canal, 50 A, 1200 V, Q0BOOST, 22 pines Superficie 2
- Código RS:
- 195-8770
- Referência do fabricante:
- NXH100B120H3Q0STG
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 195-8770
- Referência do fabricante:
- NXH100B120H3Q0STG
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 50A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Número de transistores | 2 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 186W | |
| Encapsulado | Q0BOOST | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 22 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -40°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 11.9mm | |
| Serie | NXH100B120H3Q0 | |
| Longitud | 66.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 50A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Número de transistores 2 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 186W | ||
Encapsulado Q0BOOST | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 22 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -40°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 11.9mm | ||
Serie NXH100B120H3Q0 | ||
Longitud 66.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El NXH100B120H3Q0 es un módulo de alimentación que consta de una etapa elevadora doble compuesta por dos IGBT de 50A/1200 V, dos diodos SiC de 20A/1.200 V y dos diodos en antiparalelo de 25 A/1.600 V para los IGBT. Se incluyen dos rectificadores de derivación adicionales de 25 A/1.600 V que se emplean para el límite de corriente de entrada. Se incluye un termistor en placa.
Especificaciones de IGBT: VCE(SAT) = 1,77 V, ESW = 2.180 μJ
IGBT rápido con VCE(SAT) baja para lograr una alta eficacia
Diodos en antiparalelo y de derivación de 25 A/1600 V
Diodos de derivación de VF baja para una excelente eficacia en modo de derivación
Especificación de rectificador SiC: VF = 1,44 V
Diodo SiC para conmutación de alta velocidad
Opciones de contacto de soldadura y contacto de encaje a presión disponibles
• Montaje flexible
Aplicaciones
Etapa de impulso MPPT
Etapa De Sobrealimentación Del Cargador De Batería
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