onsemi Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0SG, 1200 V, Caja 180AJ Superficie 2
- Código RS:
- 245-6964
- Referência do fabricante:
- NXH100B120H3Q0SG
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 245-6964
- Referência do fabricante:
- NXH100B120H3Q0SG
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 186W | |
| Número de transistores | 2 | |
| Encapsulado | Caja 180AJ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Serie | NXH100B120H3Q0SG | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 55.2mm | |
| Altura | 13.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 186W | ||
Número de transistores 2 | ||
Encapsulado Caja 180AJ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Serie NXH100B120H3Q0SG | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 55.2mm | ||
Altura 13.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo DE potencia de sobrealimentación doble ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene una etapa de sobrealimentación doble. Los IGBT de zanja de parada de campo y diodos SiC integrados proporcionan pérdidas de conducción y conmutación más bajas, lo que permite a los diseñadores lograr alta eficiencia y fiabilidad superior.
IGBT de parada en campo Ultra de 1200 V.
Diodos SiC de conmutación rápida y recuperación inversa baja
Diodos antiparalelos y de derivación de 1600 V.
Diseño inductivo bajo
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