onsemi Módulo IGBT, NXH80T120L3Q0S3G, 1200 V, Q0PACK - Case 180AB Superficie 4
- Código RS:
- 245-6993
- Referência do fabricante:
- NXH80T120L3Q0S3G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 245-6993
- Referência do fabricante:
- NXH80T120L3Q0S3G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Número de transistores | 4 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 188W | |
| Encapsulado | Q0PACK - Case 180AB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 13.9mm | |
| Longitud | 55.2mm | |
| Serie | NXH80T120L3Q0S3G | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Número de transistores 4 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 188W | ||
Encapsulado Q0PACK - Case 180AB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 13.9mm | ||
Longitud 55.2mm | ||
Serie NXH80T120L3Q0S3G | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo ON Semiconductor Q0PACK es un módulo de alimentación que contiene una etapa de inversor de tres niveles con fijación de punto neutro tipo T. Los IGBT de zanja de parada de campo integrados y los diodos de recuperación rápida proporcionan pérdidas de conducción y conmutación más bajas, lo que permite a los diseñadores lograr alta eficiencia y fiabilidad superior.
Baja pérdida de conmutación
Bajo VCESAT
Encapsulado compacto de 65,9 mm x 32,5 mm x 12 mm
Opciones con material de interfaz térmica preaplicado y sin TIM preaplicado
Opciones con contactos soldables y termistor de contactos de encaje a presión
Links relacionados
- onsemi Módulo IGBT, 1200 V, Q0PACK - Case 180AB Superficie 4
- onsemi Módulo IGBT, Q0PACK - Case 180AJ Superficie 2
- onsemi Módulo IGBT, NXH40B120MNQ0SNG, Q0PACK - Case 180AJ Superficie 2
- onsemi Módulo IGBT, Q0BOOST - Case 180AJ Superficie 2
- onsemi Módulo IGBT, NXH80B120MNQ0SNG, Q0BOOST - Case 180AJ Superficie 2
- onsemi Módulo IGBT, 1000 V, Q2BOOST - Case 180BR Superficie 2
- onsemi Módulo IGBT, 1000 V, Q2BOOST - Case 180BG Superficie 2
- onsemi Módulo IGBT, NXH450B100H4Q2F2PG, 1000 V, Q2BOOST - Case 180BG Superficie 2