Infineon Módulo IGBT, FP50R12KE3BOSA1, 75 A, 1200 V 7
- Código RS:
- 244-5835
- Referência do fabricante:
- FP50R12KE3BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 244-5835
- Referência do fabricante:
- FP50R12KE3BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 75A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 280W | |
| Número de transistores | 7 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.15V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Serie | FP50R12KE3 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 75A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 280W | ||
Número de transistores 7 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.15V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Serie FP50R12KE3 | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo IGBT de Infineon tiene una tensión de emisor-colector nominal máxima de 1.200 V y una disipación de potencia total de 280 W, así como una tensión de umbral de puerta máxima de 6,5 V.
Aislamiento interno aislamiento básico (clase 1, IEC 61140)
Tensión de pico del emisor de puerta +/- 20 V
Tensión de saturación del emisor-colector 2,30 V
Corriente de fuga del emisor de puerta 400 nA
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