Infineon Módulo IGBT, 1200 V 7

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Código RS:
244-5379
Referência do fabricante:
FP100R12KT4BOSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

515W

Número de transistores

7

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

FP100R12KT4

Altura

17mm

Longitud

122mm

Anchura

62 mm

Estándar de automoción

No

El módulo IGBT Infineon tiene una corriente de colector Peak repetitiva nominal máxima de 200 A y una tensión de saturación de colector-emisor de 2,20 V, una tensión de umbral de puerta de 6,4 V.

Corriente de desconexión colector-emisor: 1,0 mA

Temperatura en condiciones de conmutación: 150 °C.

Corriente de fuga de emisor de puerta: 100 nA

Capacitancia de transferencia inversa: 0,27 NF

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