Módulo transistor IGBT, IKW75N65RH5XKSA1, 75 A, 650 V, PG-TO247-3 2

El IGBT TRENCHSTOP 5S5 de Infineon se suministra con diodo de barrera Schottky Cool SiCTMS de 6. generación con valor nominal completo. Pérdidas de conmutación muy bajas gracias a la combinación de tecnología TRENCHSTOPTM5 y CoolSiCTM. Eficiencia de referencia en topologías de conmutación dura. Sustitución de enchufar y usar de dispositivos de silicio puro. La temperatura máxima de unión es de 175 °C

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