Infineon AEC-Q100, AEC-Q101 CI de transistor único IGBT, Tipo N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 228-6508
- Referência do fabricante:
- AIKW50N65RF5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 228-6508
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- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 80A | |
| Tipo de producto | CI de transistor único IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±2 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | TrenchStop | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101/100 | |
| Altura | 5.3mm | |
| Longitud | 41.9mm | |
| Anchura | 16.3 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100, AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 80A | ||
Tipo de producto CI de transistor único IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±2 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie TrenchStop | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101/100 | ||
Altura 5.3mm | ||
Longitud 41.9mm | ||
Anchura 16.3 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
El AIKW50N65RF5 de Infineon es un dispositivo de potencia híbrido con tecnología de potencia SiC con el mejor rendimiento de coste es el aspecto más importante para aplicaciones auxiliares en vehículos eléctricos y vehículos híbridos. El híbrido de IGBT de conmutación rápida AUTOMÁTICA 650V TRENCHSTOP 5 y diodo Schottky CoolSiC para permitir un impulso de rendimiento rentable para aplicaciones de automoción de conmutación rápida como cargador integrado, PFC, dc-dc y dc-ac.
IGBT de conmutación rápida Trenchstop 5
La mejor eficiencia de su clase en topologías resonantes y conmutación dura
Carga de compuerta baja Qg
Temperatura de conexión máxima: 175 °C.
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