Infineon AEC-Q101 CI de transistor único IGBT, 80 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 215-6610
- Referência do fabricante:
- AIGW50N65F5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
101,88 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 3,396 € | 101,88 € |
| 60 - 120 | 3,226 € | 96,78 € |
| 150 + | 3,09 € | 92,70 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 215-6610
- Referência do fabricante:
- AIGW50N65F5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 80A | |
| Tipo de producto | CI de transistor único IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 270W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.66V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 80A | ||
Tipo de producto CI de transistor único IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 270W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.66V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada rápida de alta velocidad de tres contactos.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
Links relacionados
- IGBT, AIGW50N65F5XKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines
- IGBT, IHW50N65R5XKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines
- IGBT, AIKW50N65RF5XKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines Simple
- IGBT, IKW50N65EH5XKSA1, N-Canal, 80 A, 650 V, PG-TO247, 3-Pines 1
- Módulo transistor IGBT, IKW50N65H5FKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3
- Módulo transistor IGBT, IGW50N65F5FKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3
- Módulo transistor IGBT, IKW50N65F5FKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3
- IGBT, IHW40N65R6XKSA1, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines