Infineon CI de transistor único IGBT, Tipo N-Canal, 74 A, 650 V, TO-247, 3 pines Superficie
- Código RS:
- 215-6652
- Referência do fabricante:
- IKB40N65EH5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
1 671,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 20 de outubro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,671 € | 1 671,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 215-6652
- Referência do fabricante:
- IKB40N65EH5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | CI de transistor único IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 74A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 333W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±30 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.65V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto CI de transistor único IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 74A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 333W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±30 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.65V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada de conmutación de alta velocidad con 1 diodo antiparalelo Rapid con corriente nominal completa.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
Links relacionados
- Infineon CI de transistor único IGBT, IKB40N65EH5ATMA1, Tipo N-Canal, 74 A, 650 V, TO-247, 3 pines Superficie
- Infineon AEC-Q101 CI de transistor único IGBT, 74 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Infineon AEC-Q101 CI de transistor único IGBT, AIGW40N65H5XKSA1, 74 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Infineon CI de transistor único IGBT, 75 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines
- Infineon CI de transistor único IGBT, IKW75N65RH5XKSA1, 75 A, 650 V, PG-TO-247, 3 pines
- Infineon CI de transistor único IGBT, Tipo N-Canal, 74 A, 650 V, TO-263, 3 pines Superficie
- Infineon CI de transistor único IGBT, IKB40N65EF5ATMA1, Tipo N-Canal, 74 A, 650 V, TO-263, 3 pines Superficie
- Infineon AEC-Q101 CI de transistor único IGBT, 80 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante