Infineon CI de transistor único IGBT, IKW30N65EL5XKSA1, Tipo N-Canal, 85 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante

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Opções de embalagem:
Código RS:
226-6113
Referência do fabricante:
IKW30N65EL5XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

CI de transistor único IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

85A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

227W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.5V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

5.3mm

Longitud

41.9mm

Anchura

16.3 mm

Serie

LowVCE(sat) Fifth Generation

Certificaciones y estándares

JEDEC

Estándar de automoción

No

El Infineon IKW30N65EL5 tiene una tensión de ruptura de 650V mV y utiliza una tensión de saturación de colector-emisor muy baja y mayor eficiencia para 50Hz. Tiene una vida útil más larga y mayor fiabilidad de IGBT.

Carga de compuerta baja Qg

Temperatura de conexión máxima: 175 °C.

Calificación conforme a JEDEC para aplicaciones de destino

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