IGBT, IKFW60N60DH3EXKSA1, 53 A, 600 V, PG-TO247-3-AI, 3-Pines Aislado
- Código RS:
- 215-6660
- Referência do fabricante:
- IKFW60N60DH3EXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 215-6660
- Referência do fabricante:
- IKFW60N60DH3EXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 53 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20 V, ±30 V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 141 W | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO247-3-AI | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 53 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20 V, ±30 V | ||
Disipación de Potencia Máxima 141 W | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO247-3-AI | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
El transistor bipolar de Infineon con puerta aislada cuenta con un Rapid 1 diodo antiparalelo suave y rápido en un encapsulado completamente aislado.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
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