Infineon CI de transistor único IGBT, IKQ120N60TXKSA1, Tipo N-Canal, 160 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 226-6109
- Referência do fabricante:
- IKQ120N60TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 226-6109
- Referência do fabricante:
- IKQ120N60TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 160A | |
| Tipo de producto | CI de transistor único IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 833W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 41.2mm | |
| Serie | TrenchStop | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 5.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 160A | ||
Tipo de producto CI de transistor único IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 833W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 41.2mm | ||
Serie TrenchStop | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 5.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon IKQ120N60T tiene un discreto IGBT de conmutación dura de 600 V con diodo antiparalelo que utiliza un IC de densidad de potencia del sistema superior que aumenta el mantenimiento del mismo rendimiento térmico del sistema y tiene una mayor fiabilidad con una vida útil prolongada del dispositivo.
Área de almohadilla térmica activa un 35 % mayor para reducir la resistencia térmica R th(jh) hasta un 20 %
Distancia de separación extendida de 4,25 mm – 2 mm mayor que TO-247
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