Infineon CI de transistor único IGBT, IHW30N65R5XKSA1, N-Canal, 60 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 215-6639
- Referência do fabricante:
- IHW30N65R5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 215-6639
- Referência do fabricante:
- IHW30N65R5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | CI de transistor único IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 60A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 176W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.7V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 16.13mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 5.21mm | |
| Longitud | 42mm | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto CI de transistor único IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 60A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 176W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.7V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 16.13mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 5.21mm | ||
Longitud 42mm | ||
Serie Resonant Switching | ||
Estándar de automoción No | ||
Transistor bipolar Infineon resonante de conmutación inversa de puerta aislada con diodo de cuerpo monolítico.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
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