Infineon CI de transistor único IGBT, IGB15N60TATMA1, N-Canal, 26 A, 600 V, TO-263, 3 pines Superficie
- Código RS:
- 215-6628
- Referência do fabricante:
- IGB15N60TATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
12,13 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 2680 unidade(s) a partir do dia 07 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,426 € | 12,13 € |
| 50 - 120 | 2,16 € | 10,80 € |
| 125 - 245 | 2,036 € | 10,18 € |
| 250 - 495 | 1,894 € | 9,47 € |
| 500 + | 1,748 € | 8,74 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 215-6628
- Referência do fabricante:
- IGB15N60TATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 26A | |
| Tipo de producto | CI de transistor único IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 130W | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC1 | |
| Serie | TRENCHSTOPTM | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 26A | ||
Tipo de producto CI de transistor único IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 130W | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC1 | ||
Serie TRENCHSTOPTM | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada de pérdida baja con tecnología Fieldstop.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
Links relacionados
- Infineon CI de transistor único IGBT, Tipo N-Canal, 26 A, 600 V, TO-263, 3 pines Superficie
- Infineon CI de transistor único IGBT, Tipo N-Canal, 90 A, 600 V, TO-263, 3 pines Superficie
- Infineon CI de transistor único IGBT, IGB50N60TATMA1, Tipo N-Canal, 90 A, 600 V, TO-263, 3 pines Superficie
- Infineon CI de transistor único IGBT, Tipo N-Canal, 30 A, 650 V, TO-263, 3 pines Superficie
- Infineon CI de transistor único IGBT, Tipo N-Canal, 79 A, 650 V, TO-263, 3 pines Superficie
- Infineon CI de transistor único IGBT, Tipo N-Canal, 74 A, 650 V, TO-263, 3 pines Superficie
- Infineon CI de transistor único IGBT, IKB15N65EH5ATMA1, Tipo N-Canal, 30 A, 650 V, TO-263, 3 pines Superficie
- Infineon CI de transistor único IGBT, IKB40N65ES5ATMA1, Tipo N-Canal, 79 A, 650 V, TO-263, 3 pines Superficie