STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 145 A, 650 V, TO-247-4, 4 pines Orificio pasante, 1 MHz
- Código RS:
- 212-2106
- Referência do fabricante:
- STGW100H65FB2-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 212-2106
- Referência do fabricante:
- STGW100H65FB2-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 145A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 441W | |
| Encapsulado | TO-247-4 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 4 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHZ | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | STG | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Altura | 5.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 145A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 441W | ||
Encapsulado TO-247-4 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 4 | ||
Velocidad de conmutación 1MHZ | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie STG | ||
Longitud 15.9mm | ||
Altura 5.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
IGBT
STMicroelectronics IGBT serie 650 V HB2 representa una evolución de la Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench propia. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) con valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida. El resultado es un producto diseñado específicamente para maximizar la eficiencia para una amplia gama de aplicaciones rápidas.
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja
Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)
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