IGBT, STGWA30IH65DF, 60 A, 650 V, TO-247, 4-Pines 1

STMicroelectronics IGBT serie 650 V HB2 representa una evolución de la Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench propia. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) con valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.

Diseñado solo para conmutación suave
Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (típ.) @ IC = 30 A.
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja
Diodo encapsulado de circulación libre de baja caída de tensión
Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)