IGBT, STGWA30IH65DF, 60 A, 650 V, TO-247, 4-Pines 1
- Código RS:
- 206-8630
- Referência do fabricante:
- STGWA30IH65DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 4,008 € | 20,04 € |
| 25 - 45 | 3,898 € | 19,49 € |
| 50 - 120 | 3,796 € | 18,98 € |
| 125 - 245 | 3,70 € | 18,50 € |
| 250 + | 3,604 € | 18,02 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 206-8630
- Referência do fabricante:
- STGWA30IH65DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 60 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 108 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Conteo de Pines | 4 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 60 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 108 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Conteo de Pines 4 | ||
STMicroelectronics IGBT serie 650 V HB2 representa una evolución de la Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench propia. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) con valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.
Diseñado solo para conmutación suave
Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (típ.) @ IC = 30 A.
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja
Diodo encapsulado de circulación libre de baja caída de tensión
Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)
Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (típ.) @ IC = 30 A.
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja
Diodo encapsulado de circulación libre de baja caída de tensión
Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)
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