IGBT, STGW75H65DFB2-4, 115 A, 650 V, TO-247, 4-Pines 1
- Código RS:
- 206-6063
- Referência do fabricante:
- STGW75H65DFB2-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 206-6063
- Referência do fabricante:
- STGW75H65DFB2-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 115 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 357 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Conteo de Pines | 4 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 115 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 357 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Conteo de Pines 4 | ||
STMicroelectronics IGBT serie 650 V HB2 representa una evolución de la Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench propia. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) con valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.
Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.
VCE(sat) bajo = 1,55 V (típ.) @ IC = 75 A.
Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja
Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)
Excelente rendimiento de conmutación gracias al contacto kelvin de accionamiento adicional
VCE(sat) bajo = 1,55 V (típ.) @ IC = 75 A.
Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja
Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)
Excelente rendimiento de conmutación gracias al contacto kelvin de accionamiento adicional
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