STMicroelectronics IGBT, STGWA50HP65FB2, Tipo N-Canal, 86 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- Código RS:
- 204-3944
- Referência do fabricante:
- STGWA50HP65FB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 204-3944
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- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 86A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 272W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHZ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 5.1mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Serie | STG | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 86A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 272W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHZ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 5.1mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Serie STG | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El IGBT STMicroelectronics serie HB2 de 650 V representa una evolución de la estructura de parada de campo de puerta Trench patentada Advanced. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) con valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida. Un diodo utilizado con fines de protección solo está co-encapsulado en antiparalelo con el IGBT. El resultado es un producto diseñado específicamente para maximizar la eficiencia para una amplia gama de aplicaciones rápidas.
Temperatura de conexión máxima de 175 °C.
Diodo de protección encapsulado
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja
Coeficiente de temperatura positivo
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