STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, Tipo N-Canal, 30 A, 420 V, TO-263, 3 pines Superficie, 1 MHz
- Código RS:
- 168-7861
- Referência do fabricante:
- STGB18N40LZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 30A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 420V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHz | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.7V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 16 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 9.35 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Serie | Automotive Grade | |
| Altura | 4.6mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 30A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 420V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHz | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.7V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 16 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 9.35 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Serie Automotive Grade | ||
Altura 4.6mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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