IGBT, STGB10NC60KDT4, N-Canal, 20 A, 600 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines, 1MHZ Simple

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Código RS:
795-8975
Referência do fabricante:
STGB10NC60KDT4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

20 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

65 W

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

1MHZ

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

10.4 x 9.35 x 4.6mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Discretos IGBT, STMicroelectronics



IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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