IGBT, STGB30H65DFB2, 50 A, 650 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines 1
- Código RS:
- 204-9868
- Referência do fabricante:
- STGB30H65DFB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,436 € | 12,18 € |
| 50 - 95 | 2,284 € | 11,42 € |
| 100 - 245 | 1,828 € | 9,14 € |
| 250 - 495 | 1,524 € | 7,62 € |
| 500 + | 1,342 € | 6,71 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 204-9868
- Referência do fabricante:
- STGB30H65DFB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 50 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 167 W | |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 50 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 167 W | ||
Tipo de Encapsulado D2PAK (TO-263) | ||
Conteo de Pines 3 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
STMicroelectronics IGBT serie 650 V HB2 representa una evolución de la Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench propia. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) con valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.
Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.
VCE(sat) bajo = 1,65 V (típ.) @ IC = 30 A.
Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
VCE(sat) bajo = 1,65 V (típ.) @ IC = 30 A.
Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
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