Módulo IGBT, MIXA225PF1200TSF, N-Canal, 360 A, 1.200 V, SimBus F, 11-Pines Serie
- Código RS:
- 168-4565
- Referência do fabricante:
- MIXA225PF1200TSF
- Fabricante:
- IXYS
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 caixa de 3 unidades)*
381,621 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 01 de outubro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Caixa* |
|---|---|---|
| 3 + | 127,207 € | 381,62 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 168-4565
- Referência do fabricante:
- MIXA225PF1200TSF
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 360 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±30V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 1.100 W | |
| Configuración | Doble | |
| Tipo de Encapsulado | SimBus F | |
| Tipo de Montaje | Montaje en PCB | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 11 | |
| Configuración de transistor | Serie | |
| Dimensiones | 152 x 62 x 17mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 360 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±30V | ||
Disipación de Potencia Máxima 1.100 W | ||
Configuración Doble | ||
Tipo de Encapsulado SimBus F | ||
Tipo de Montaje Montaje en PCB | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 11 | ||
Configuración de transistor Serie | ||
Dimensiones 152 x 62 x 17mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
- COO (País de Origem):
- DE
Módulos IGBT, IXYS
IGBT discretos y módulos, IXYS
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Links relacionados
- Módulo IGBT, MIXA225PF1200TSF, N-Canal, 360 A, 1.200 V, SimBus F, 11-Pines Serie
- Módulo IGBT, MIXA450PF1200TSF, N-Canal, 650 A, 1.200 V, SimBus F, 11-Pines Serie
- Módulo IGBT, 2MBi300VH-120-50, N-Canal, 360 A, 1.200 V, M276, 7-Pines
- Módulo IGBT, FF600R12ME4B72BOSA1, N-Canal, 600 A, 1.200 V, ECONODUAL, 11-Pines 2 Doble
- Módulo IGBT, FF300R12ME4B11BPSA1, N-Canal, 450 A, 1.200 V, ECONOD, 11-Pines, 1MHZ Serie
- Módulo IGBT, FS10R12VT3BOMA1, N-Canal, 16 A, 1.200 V, EASY750, 11-Pines, 1MHZ Trifásico
- Módulo IGBT, SEMiX303GB12E4p, N-Canal, 469 A, 1.200 V, SEMiX®3p, 11-Pines Serie
- Módulo IGBT, SEMiX603GB12E4p, N-Canal, 1,1 kA, 1.200 V, SEMiX®3p, 11-Pines Serie