Módulo IGBT, MIXA450PF1200TSF, N-Canal, 650 A, 1.200 V, SimBus F, 11-Pines Serie

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 unidade)*

176,76 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Últimas unidades em stock
  • Última(s) 41 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es)
Por unidade
1 +176,76 €

*preço indicativo

Código RS:
124-0712
Referência do fabricante:
MIXA450PF1200TSF
Fabricante:
IXYS
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

IXYS

Corriente Máxima Continua del Colector

650 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±30V

Disipación de Potencia Máxima

2,1 kW

Configuración

Doble

Tipo de Encapsulado

SimBus F

Tipo de Montaje

Montaje en PCB

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

11

Configuración de transistor

Serie

Dimensiones

152 x 62 x 17mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Módulos IGBT, IXYS



IGBT discretos y módulos, IXYS


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Links relacionados