IXYS Módulo IGBT, MIXA225PF1200TSF, Tipo N-Canal, 360 A, 1200 V, SimBus F, 11 pines Montaje en PCB 2
- Código RS:
- 124-0710
- Referência do fabricante:
- MIXA225PF1200TSF
- Fabricante:
- IXYS
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- Código RS:
- 124-0710
- Referência do fabricante:
- MIXA225PF1200TSF
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Especificações
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 360A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Número de transistores | 2 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1100W | |
| Encapsulado | SimBus F | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 11 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.8V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -40°C | |
| Altura | 17mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Serie | MIXA225PF1200TSF | |
| Longitud | 152mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 360A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Número de transistores 2 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1100W | ||
Encapsulado SimBus F | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 11 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.8V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -40°C | ||
Altura 17mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Serie MIXA225PF1200TSF | ||
Longitud 152mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulos IGBT, IXYS
IGBT discretos y módulos, IXYS
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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