Módulo IGBT, MII75-12A3, N-Canal, 90 A, 1.200 V, Y4 M5, 7-Pines Serie

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Código RS:
168-4475
Referência do fabricante:
MII75-12A3
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Corriente Máxima Continua del Colector

90 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Tipo de Encapsulado

Y4 M5

Configuración

Serie

Tipo de Montaje

Montaje en panel

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

7

Configuración de transistor

Serie

Dimensiones

94 x 34 x 30mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Módulos IGBT, IXYS



IGBT discretos y módulos, IXYS


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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