IGBT, IXGH40N120B2D1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple

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Código RS:
168-4435
Referência do fabricante:
IXGH40N120B2D1
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Corriente Máxima Continua del Colector

75 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

16.26 x 5.3 x 21.46mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Discretos IGBT, IXYS



IGBT discretos y módulos, IXYS


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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