IGBT, STGWA50M65DF2AG, N-Canal, 119 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1
- Código RS:
- 215-009
- Referência do fabricante:
- STGWA50M65DF2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 215-009
- Referência do fabricante:
- STGWA50M65DF2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 119 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 576 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 119 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 576 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El IGBT de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando una avanzada estructura de parada de campo de puerta de zanja patentada. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie M, que representan un equilibrio óptimo entre el rendimiento del sistema de inversores y la eficiencia donde la baja pérdida y la funcionalidad de cortocircuito son esenciales. Además, el coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo y la distribución ajustada de los parámetros hacen que el funcionamiento en paralelo sea más seguro.
Corriente de cola minimizada
Distribución ajustada de los parámetros
Puesta en paralelo más segura
Distribución ajustada de los parámetros
Puesta en paralelo más segura
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