Fotodiodo PIN de silicio TEFD4300F Vishay TEFD4300F, Radiación de infrarrojos cercanos ±20 °, λ sensibilidad máx. 950
- Código RS:
- 279-9629
- Número do artigo Distrelec:
- 301-19-197
- Referência do fabricante:
- TEFD4300F
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bolsa de 5000 unidades)*
1 075,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- Mais 15.000 unidade(s) para enviar a partir do dia 15 de junho de 2026
Unidad(es) | Por unidade | Por Bolsa* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | 0,215 € | 1 075,00 € |
| 10000 + | 0,209 € | 1 045,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 279-9629
- Número do artigo Distrelec:
- 301-19-197
- Referência do fabricante:
- TEFD4300F
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | Fotodiodo PIN de silicio | |
| Espectros detectados | Radiación de infrarrojos cercanos | |
| Longitud de onda de sensibilidad máxima | 950nm | |
| Encapsulado | T-1 | |
| Embalaje y empaquetado | Lote | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 2 | |
| Mínima longitud de onda detectada | 770nm | |
| Máxima longitud de onda detectada | 1070nm | |
| Tiempo de caída típico | 100ns | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 100°C | |
| Longitud | 34.4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 3.9mm | |
| Ángulo de media sensibilidad | ±20 ° | |
| Diámetro | 3mm | |
| Serie | TEFD4300F | |
| Tensión de circuito abierto | 350mV | |
| Tensión de ruptura | 60V | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tiempo de subida típico | 100ns | |
| Corriente de cortocircuito | 15μA | |
| Corriente residual | 3nA | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto Fotodiodo PIN de silicio | ||
Espectros detectados Radiación de infrarrojos cercanos | ||
Longitud de onda de sensibilidad máxima 950nm | ||
Encapsulado T-1 | ||
Embalaje y empaquetado Lote | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 2 | ||
Mínima longitud de onda detectada 770nm | ||
Máxima longitud de onda detectada 1070nm | ||
Tiempo de caída típico 100ns | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 100°C | ||
Longitud 34.4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 3.9mm | ||
Ángulo de media sensibilidad ±20 ° | ||
Diámetro 3mm | ||
Serie TEFD4300F | ||
Tensión de circuito abierto 350mV | ||
Tensión de ruptura 60V | ||
Estándar de automoción No | ||
Tiempo de subida típico 100ns | ||
Corriente de cortocircuito 15μA | ||
Corriente residual 3nA | ||
- COO (País de Origem):
- TH
Links relacionados
- Fotodiodo PIN de silicio TEFD4300F Vishay TEFD4300F, Radiación de infrarrojos cercanos ±20 °, λ sensibilidad máx. 950
- Fotodiodo Vishay BPV10, Radiación de infrarrojos visible, Radiación de infrarrojos cercanos 20 °, λ sensibilidad máx.
- Fotodiodo BPV10 Vishay BPV10, Radiación de infrarrojos visible, Radiación de infrarrojos cercanos 20 °, λ sensibilidad
- Fotodiodo PIN de silicio Vishay, Radiación de infrarrojos cercanos, Radiación de infrarrojos visible 60 °, λ
- Fotodiodo PIN de silicio VEMD8083 Vishay, Radiación de infrarrojos cercanos, Radiación de infrarrojos visible 60 °, λ
- Fotodiodo PIN de silicio VEMD5110X01 Vishay, Radiación de infrarrojos cercanos ±65 °, λ sensibilidad máx. 940 nm,
- Fotodiodo S12086 Hamamatsu Photonics S12023, Radiación de infrarrojos cercanos, λ sensibilidad máx. 800 nm, Orificio
- Fotodiodo S3884 Hamamatsu Photonics S3884, Radiación de infrarrojos cercanos, λ sensibilidad máx. 800 nm, Orificio