Fotodiodo de silicio Hamamatsu, Radiación infrarroja cercana, λ sensibilidad máx. 800nm, mont. pasante, encapsulado

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Código RS:
482-440
Referência do fabricante:
S12086
Fabricante:
Hamamatsu Photonics
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Marca

Hamamatsu Photonics

Espectros Detectados

Radiación infrarroja cercana

Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico

800nm

Encapsulado

TO-18

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Número de Pines

3

Material del Diodo

Si

COO (País de Origem):
JP
El fotodiodo de avalancha de silicio (Si APD) de Hamamatsu Photonics optimizado para la detección de luz en el infrarrojo cercano. Funciona eficazmente a baja tensión de polarización y está diseñado para aplicaciones que requieren una respuesta de alta velocidad y una medición precisa de la luz.

Poco ruido
Alta velocidad de respuesta
Alta sensibilidad

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