Fotodiodo PIN de silicio VEMD5110X01 Vishay, Radiación de infrarrojos cercanos ±65 °, λ sensibilidad máx. 940 nm,
- Código RS:
- 279-9636
- Número do artigo Distrelec:
- 304-42-138
- Referência do fabricante:
- VEMD5110X01
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
8,03 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- 1990 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,606 € | 8,03 € |
| 50 - 245 | 1,128 € | 5,64 € |
| 250 - 495 | 0,964 € | 4,82 € |
| 500 - 995 | 0,886 € | 4,43 € |
| 1000 + | 0,784 € | 3,92 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 279-9636
- Número do artigo Distrelec:
- 304-42-138
- Referência do fabricante:
- VEMD5110X01
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | Fotodiodo PIN de silicio | |
| Espectros detectados | Radiación de infrarrojos cercanos | |
| Longitud de onda de sensibilidad máxima | 940nm | |
| Encapsulado | 5 x 4 x 0.9 mm | |
| Embalaje y empaquetado | Cinta y carrete | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Mínima longitud de onda detectada | 790nm | |
| Máxima longitud de onda detectada | 1050nm | |
| Tiempo de caída típico | 100ns | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 110°C | |
| Altura | 0.9mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Ángulo de media sensibilidad | ±65 ° | |
| Tiempo de subida típico | 100ns | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Corriente residual | 30nA | |
| Corriente de cortocircuito | 45μA | |
| Tensión de ruptura | 20V | |
| Tensión de circuito abierto | 350mV | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto Fotodiodo PIN de silicio | ||
Espectros detectados Radiación de infrarrojos cercanos | ||
Longitud de onda de sensibilidad máxima 940nm | ||
Encapsulado 5 x 4 x 0.9 mm | ||
Embalaje y empaquetado Cinta y carrete | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Mínima longitud de onda detectada 790nm | ||
Máxima longitud de onda detectada 1050nm | ||
Tiempo de caída típico 100ns | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 110°C | ||
Altura 0.9mm | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Ángulo de media sensibilidad ±65 ° | ||
Tiempo de subida típico 100ns | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Corriente residual 30nA | ||
Corriente de cortocircuito 45μA | ||
Tensión de ruptura 20V | ||
Tensión de circuito abierto 350mV | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Links relacionados
- Fotodiodo PIN de silicio VEMD5110X01 Vishay, Radiación de infrarrojos cercanos ±65°, λ sensibilidad máx. 940 nm,
- Fotodiodo Vishay, Radiación de infrarrojos cercanos, Radiación de infrarrojos visible 60 °, λ sensibilidad máx. 940 nm,
- Fotodiodo VEMD8083 Vishay, Radiación de infrarrojos cercanos, Radiación de infrarrojos visible 60 °, λ sensibilidad máx.
- Fotodiodo Vishay BPV10, Radiación de infrarrojos visible, Radiación de infrarrojos cercanos 20 °, λ sensibilidad máx.
- Fotodiodo BPV10 Vishay BPV10, Radiación de infrarrojos visible, Radiación de infrarrojos cercanos 20 °, λ sensibilidad
- Fotodiodo PIN de silicio TEFD4300F Vishay TEFD4300F, Radiación de infrarrojos cercanos ±20°, λ sensibilidad máx. 950 nm,
- Fotodiodo S3884 Hamamatsu Photonics S3884, Radiación de infrarrojos cercanos, λ sensibilidad máx. 800 nm, Orificio
- Fotodiodo PIN VEMD6060X01 Vishay VEMD6060X01, Visible, Radiación de infrarrojos cercanos ±70°, λ sensibilidad máx. 820