Fotodiodo PIN Vishay, 830 nm a 950 nm ±15 °, λ sensibilidad máx. 830 nm, Superficie, encapsulado GW de 2 pines
- Código RS:
- 257-6909
- Referência do fabricante:
- VEMD2020X01
- Fabricante:
- Vishay
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- 257-6909
- Referência do fabricante:
- VEMD2020X01
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | Fotodiodo PIN | |
| Espectros detectados | 830 nm a 950 nm | |
| Longitud de onda de sensibilidad máxima | 830nm | |
| Encapsulado | GW | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Embalaje y empaquetado | Cinta y carrete | |
| Número de pines | 2 | |
| Mínima longitud de onda detectada | 750nm | |
| Máxima longitud de onda detectada | 1050nm | |
| Tiempo de caída típico | 100ns | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 100°C | |
| Altura | 2.8mm | |
| Anchura | 2.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Directive 2002/95/EC | |
| Longitud | 2.3mm | |
| Ángulo de media sensibilidad | ±15 ° | |
| Corriente de cortocircuito | 11μA | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Tensión de circuito abierto | 350mV | |
| Tensión de ruptura | 32V | |
| Corriente residual | 10nA | |
| Tiempo de subida típico | 100ns | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto Fotodiodo PIN | ||
Espectros detectados 830 nm a 950 nm | ||
Longitud de onda de sensibilidad máxima 830nm | ||
Encapsulado GW | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Embalaje y empaquetado Cinta y carrete | ||
Número de pines 2 | ||
Mínima longitud de onda detectada 750nm | ||
Máxima longitud de onda detectada 1050nm | ||
Tiempo de caída típico 100ns | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 100°C | ||
Altura 2.8mm | ||
Anchura 2.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Directive 2002/95/EC | ||
Longitud 2.3mm | ||
Ángulo de media sensibilidad ±15 ° | ||
Corriente de cortocircuito 11μA | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Tensión de circuito abierto 350mV | ||
Tensión de ruptura 32V | ||
Corriente residual 10nA | ||
Tiempo de subida típico 100ns | ||
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